Печи для выращивания кристаллов по процессу Чохральского обычно разрабатываются для осесимметричного температурного распределения в зоне кристаллизации.
Однако нагреватели и стержни, обеспечивающие подведение электрического тока создают неоднородное высвобождение тепла. Температура в зоне контроля должна контролироваться с высокой точностью.
Процесс Чохральского:
- Полностью тепловая и/или индуктивная плавка поликремния
- Введение затравочного кристалла
- Начало кристаллического роста
- Вытягивание кристалла
Выращивание монокристаллического слитка
Решение: Вакуумная печь для массового производства монокристаллов
- Система контроля: PLC/PC
- Мощность: 220 — 300 кВA
- Скорость вытягивания: ~ 1 — 200 мм/мин
- Длина слитка: ~ 2.5м.
- Температура: >, 1450 °C
Моделирование теплообмена при выращивании
3D распределение температуры в боковых и нижних нагревателях
3D распределение температуры в зоне кристаллизации
Функция регулятора мощности
Надежный и точный регулятор мощности серии Thyro-A предназначен для решения широкого спектра задач, требующих контроля напряжения, мощности и тока.
Thyro-PX представляет собой тиристорный регулятор мощности с возможностью коммуникации и может применяться в 1-фазных и 3-фазных сетях, где необходима точная регулировка напряжения, тока или мощности.